电子发烧友企业号产品列表半导体电子元器件芯片产品资料

  Wolfspeed 经过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技能领头羊，在更广泛的电源体系中完成更小、更轻且高效的电源转化。650 V MOSFET 产品系列很合适高功能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电体系、储能体系、不间断电源和电池办理体系等使用。 特征整个温度范围内的低通态电阻低寄生电容具有超低反向恢复的快

  1700 V、45 mΩ、75 A、TO-247-4 Plus 封装、第 2 代分立式 SiC MOSFETWolfspeed 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可完成更小、更高效的电源转化体系。与根据硅的解决方案比较，Wolfspeed 碳化硅技能可进步体系功率密度、更高的开关频率、更小的规划、更凉快的组件、减小电感器、电容器、滤波器和放大器

  650 V, 10 A, TO-252-2 package, Gen 6 Discrete SiC Schottky Diode沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技能是为高功能电力电子使用而优化的,包含服务器电源、电动汽车充电体系、储能体系、太阳能(PV)逆变器和消费电子科技类产品。 特色最低正向电压(V) f )工业温度下降零反收回电荷(q) R

  1200V,2A-220-2包件,第4代离散S肖特基二极管沃尔夫斯派特的1200V离散碳化硅(SIC)肖特基二极管的特色是MPS(兼并的PIN肖特基)规划,这是更强壮和牢靠的规范肖特基屏障二极管。将高速碳化硅二极管与碳化硅树立一个强壮的组合,进步功率和下降组件价格,当一同购买. CSD01060ECSD01060AC3D02060EC3D02060F

  1200 V、11 mΩ、FM3、半桥 SiC 电源模块Wolfspeed 的 CAB011M12FM3 是一款选用半桥装备的无底板电源模块，可满意中等功率使用的要求，供给跨电力电子接连体的解决方案。关于想要在紧凑的行业规范封装中进步功率和功率密度的规划人员来说，Wolfspeed WolfPACK™ 模块是一个不错的挑选。该模块系列为快速规划施行、可扩展性

  60 kW 三相交织式 LLC DC-DC 转化器 (CRD-60DD12N-K) 是之前 30 kW 规划 (CRD-30DD12N-K) 功率水平的两倍，面向高功率密度、高功率快速充电器使用并选用 Wolfspeed 分立式 1200 V C3M 碳化硅 MOSFET（C3M0040120K 或 C3M0032120K）和 650 V C6D 碳化硅肖特

  10W 射频功率 GaN HEMT Wolfspeed 的 CG2H40010 是一款无与伦比的产品；氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40010；选用 28 伏电源轨运转；供给通用用处；适用于各种射频和微波使用的宽带解决方案。GaN HEMT 功率高；高增益和宽带宽才能；使 CG2H40010 成为线性和紧缩放大器电路的抱负选

  15-W；8.0GHz；GaN HEMT 芯片 Wolfspeed 的 CG2H80015D 是一款氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。与硅或砷化镓比较，GaN具有更优越的功能；包含更高的击穿电压；更高的饱满电子漂移速度；和更高的导热率。与 Si 和 GaAs 晶体管比较，GaN HEMT 具有更高的功率密度和更宽的带宽。 特征15 W

  25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是无与伦比的；氮化镓（GaN）；专为高功率而规划的高电子迁移率晶体管（HEMT）；高增益和宽带才能。该设备可布置为L；S; C; X 和 Ku 波段放大器使用。数据表标准根据 X 频段 (8.9 – 9.6 GHz) 放大器。CGHV1F025S

  200-W；4400 - 5000 MHz；50 欧姆输入/输出匹配；氮化镓高电子迁移率晶体管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款专为高功率规划的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽才能；这使得 CGHV50200F 成为对流层散射通讯的抱负挑选；4.4 – 5.0 GHz C 频段卫星通讯使用和超视距。该晶